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Herstellung und Eigenschaften von p-Kanal-Heterostruktur-Feldeffekt-Transistoren (Duisburger Mikroelektronik)

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Beschreibung

Herstellung und Eigenschaften von p-Kanal-Heterostruktur-Feldeffekt-Transistoren (Duisburger Mikroelektronik)
Diese Beschreibung wurde mittels künstlicher Intelligenz generiert

Das Buch "Herstellung und Eigenschaften von p-Kanal-Heterostruktur-Feldeffekt-Transistoren" von Jan H. Reemtsma befasst sich mit der Entwicklung und Analyse von p-Kanal-Heterostruktur-Feldeffekt-Transistoren (HFETs), die in der Mikroelektronik Anwendung finden. Der Autor untersucht die Herstellungstechniken dieser Transistoren sowie deren physikalische und elektrische Eigenschaften. Das Werk bietet einen detaillierten Einblick in die Materialwissenschaft und Halbleitertechnologie, wobei ein besonderer Fokus auf den Einsatz von Heterostrukturen zur Verbesserung der Leistungseigenschaften gelegt wird. Zudem werden experimentelle Ergebnisse präsentiert, die das Potenzial dieser Transistoren für zukünftige elektronische Anwendungen verdeutlichen.

Produktdetails

Einband:
paperback
Seitenzahl:
110
Erschienen:
-
Sprache:
-
EAN:
9783922697206
ISBN:
9783922697206
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