Herstellung und Eigenschaften von p-Kanal-Heterostruktur-Feldeffekt-Transistoren (Duisburger Mikroelektronik)
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Beschreibung
Das Buch "Herstellung und Eigenschaften von p-Kanal-Heterostruktur-Feldeffekt-Transistoren" von Jan H. Reemtsma befasst sich mit der Entwicklung und Analyse von p-Kanal-Heterostruktur-Feldeffekt-Transistoren (HFETs), die in der Mikroelektronik Anwendung finden. Der Autor untersucht die Herstellungstechniken dieser Transistoren sowie deren physikalische und elektrische Eigenschaften. Das Werk bietet einen detaillierten Einblick in die Materialwissenschaft und Halbleitertechnologie, wobei ein besonderer Fokus auf den Einsatz von Heterostrukturen zur Verbesserung der Leistungseigenschaften gelegt wird. Zudem werden experimentelle Ergebnisse präsentiert, die das Potenzial dieser Transistoren für zukünftige elektronische Anwendungen verdeutlichen.
Produktdetails
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Über den Autor
- hardcover
- 1747 Seiten
- Erschienen 2009
- Springer
- Gebunden
- 340 Seiten
- Erschienen 1994
- Springer
- Gebunden
- 88 Seiten
- Erschienen 2017
- Springer
- Hardcover
- 48 Seiten
- Erschienen 2007
- Vogel Communications Group ...
- Gebunden
- 364 Seiten
- Erschienen 2007
- Springer



