Tieftemperaturverhalten von Heterostruktur-Feldeffekttransistoren mit zweidimensionalem Elektronengas als Kanal (Duisburger Mikroelektronik)
Kurzinformation
Handgeprüfte Gebrauchtware
Schnelle Lieferung
Faire Preise
inkl. MwSt. Versandinformationen
Lieferzeit 1-3 Werktage
Lieferzeit 1-3 Werktage
Beschreibung
Das Buch "Tieftemperaturverhalten von Heterostruktur-Feldeffekttransistoren mit zweidimensionalem Elektronengas als Kanal" von Ingo Wolff befasst sich mit der Untersuchung des Verhaltens von Heterostruktur-Feldeffekttransistoren (HFETs) bei tiefen Temperaturen. Diese Transistoren nutzen ein zweidimensionales Elektronengas (2DEG) als leitfähigen Kanal, was ihnen besondere elektrische Eigenschaften verleiht, die für Anwendungen in der Mikroelektronik von Interesse sind. Der Autor analysiert die physikalischen Phänomene und Leistungsmerkmale dieser Transistoren unter Tieftemperaturbedingungen und diskutiert deren Auswirkungen auf die Effizienz und Funktionalität in elektronischen Schaltkreisen. Dabei werden sowohl theoretische Modelle als auch experimentelle Ergebnisse präsentiert, um ein tieferes Verständnis der zugrunde liegenden Mechanismen zu vermitteln.
Produktdetails
So garantieren wir Dir zu jeder Zeit Premiumqualität.
