Konzipierung eines alternativen Designs für einen Hochvolt-Operationsverstärker: Die Eignung von Galliumnitrid-basierten Transistoren für den Aufbau eines Hochleistungs-Operationsverstärkers
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Beschreibung
Das Buch von Roland Krebs untersucht die Entwicklung eines alternativen Designs für Hochvolt-Operationsverstärker unter Verwendung von Galliumnitrid (GaN)-basierten Transistoren. Es analysiert die Vorteile und Herausforderungen der GaN-Technologie im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-basierten Lösungen, insbesondere in Bezug auf Effizienz, thermische Eigenschaften und Leistungsfähigkeit. Krebs beschreibt den Designprozess und die Implementierung eines Prototyps, der die Eignung von GaN-Transistoren für Hochleistungsanwendungen demonstriert. Das Buch richtet sich an Ingenieure und Forscher im Bereich der Elektronik und bietet wertvolle Einblicke in innovative Ansätze zur Verbesserung der Leistung elektronischer Verstärkersysteme.
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