
Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures
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Beschreibung
This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and different types of charges presented in their structure. A review on ionic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides is given, special attention being attempted to the Charge Pumping (CP) technique associated with the Bias Thermal Stress (BTS) method. Theoretical approaches to determine the density of mobile ions as well as their distribution along the oxide thickness are also discussed. The content varies from general to very specific examples, helping the reader to learn more about transport in MOS structures. von Bentarzi, Hamid
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Über den Autor
- paperback
- 344 Seiten
- Erschienen 1982
- Springer
- Gebunden
- 319 Seiten
- Erschienen 2011
- Wiley-VCH
- Gebunden
- 250 Seiten
- Erschienen 2011
- Wiley-VCH
- Gebunden
- 557 Seiten
- Erschienen 2012
- Wiley-VCH
- perfect
- 520 Seiten
- Erschienen 2013
- Springer
- Gebunden
- 634 Seiten
- Erschienen 2012
- Wiley-VCH
- hardcover
- 484 Seiten
- Erschienen 2015
- Wiley-VCH
- Gebunden
- 285 Seiten
- Erschienen 2018
- Springer
- Gebunden
- 512 Seiten
- Erschienen 2023
- Wiley-VCH
- Gebunden
- 1088 Seiten
- Erschienen 2012
- -
- Hardcover
- 768 Seiten
- Erschienen 2000
- Wiley-Interscience
- Gebunden
- 352 Seiten
- Erschienen 2011
- Wiley-VCH