High-k Gate Dielectrics for CMOS Technology
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Beschreibung
"High-k Gate Dielectrics for CMOS Technology" von Zhaoqi Sun beschäftigt sich mit den Herausforderungen und Fortschritten im Bereich der Halbleitertechnologie, insbesondere bei der Entwicklung von High-k-Gate-Dielektrika für CMOS-Technologien. Das Buch erläutert die Notwendigkeit, traditionelle Siliziumdioxid-Dielektrika durch Materialien mit höherer Dielektrizitätskonstante zu ersetzen, um den steigenden Anforderungen an Leistung und Miniaturisierung gerecht zu werden. Es behandelt die physikalischen und chemischen Eigenschaften dieser Materialien, ihre Herstellungsmethoden sowie deren Integration in bestehende Herstellungsprozesse. Zudem werden Themen wie Zuverlässigkeit, Skalierbarkeit und elektrische Eigenschaften der High-k-Materialien diskutiert. Das Buch richtet sich an Ingenieure, Wissenschaftler und Studierende im Bereich der Mikroelektronik und Materialwissenschaften.
Produktdetails
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Über den Autor
- Gebunden
- 445 Seiten
- Erschienen 2020
- Wiley-VCH
- hardcover
- 656 Seiten
- Erschienen 1998
- Wiley-IEEE Press
- Gebunden
- 323 Seiten
- Erschienen 2023
- Wiley-VCH
- perfect
- 520 Seiten
- Erschienen 2013
- Springer
- paperback
- 366 Seiten
- Erschienen 2020
- Springer
- hardcover
- 510 Seiten
- Erschienen 1997
- Springer
- paperback
- 527 Seiten
- Erschienen 1997
- Springer
- Hardcover -
- Erschienen 2014
- Springer Vieweg
- hardcover
- 108 Seiten
- Erschienen 2014
- Springer
- Gebunden
- 207 Seiten
- Erschienen 2021
- Wiley-VCH
- paperback
- 120 Seiten
- Erschienen 2019
- Mensch & Buch
- paperback
- 1631 Seiten
- Erschienen 2002
- Springer
- Gebunden
- 322 Seiten
- Erschienen 2021
- Wiley-VCH
- Gebunden
- 804 Seiten
- Erschienen 2010
- Springer
- Gebunden
- 268 Seiten
- Erschienen 2020
- Wiley-VCH



