
Reliability studies of GaN High Electron Mobility Transistors
Kurzinformation



inkl. MwSt. Versandinformationen
Artikel zZt. nicht lieferbar
Artikel zZt. nicht lieferbar

Beschreibung
Most of our modern lifestyle is based on an ever expanding communication technology marked by higher frequencies and bandwidth. Nowadays used devices reach material limits and GaN possess intrinsic advantages to replace current technology. To serve as a considerable alternative, the reliability of GaN devices is a key factor. This thesis addresses the main physical degradation processes of state-of-the-art devices. The main problems of GaN are twofold: Due to the device realisation and operating conditions, large electric fields are appearing leading to a unique degradation pattern. Previous given explanation fails, and a new approach to overcome this problem could be shown in this work, alongside with solutions for field mitigation. von Cäsar, Markus
Produktdetails

So garantieren wir Dir zu jeder Zeit Premiumqualität.
Über den Autor
- Hardcover
- 460 Seiten
- Erschienen 1990
- Artech House Inc
- Gebunden
- 557 Seiten
- Erschienen 2012
- Wiley-VCH
- Gebunden
- 736 Seiten
- Erschienen 2021
- Wiley-VCH
- Audio-CD
- 171 Seiten
- Erschienen 2010
- Springer
- hardcover
- 864 Seiten
- Erschienen 2000
- Institute of Physics Publis...
- hardcover
- 484 Seiten
- Erschienen 2015
- Wiley-VCH
- Gebunden
- 416 Seiten
- Erschienen 1991
- Springer
- hardcover
- 256 Seiten
- Erschienen 1999
- Springer
-
-
-
- Shaker Verlag GmbH
- Gebunden
- 216 Seiten
- Erschienen 2007
- Wiley-VCH