Silicon Carbide: Volume 1: Growth, Defects, and Novel Applications (Silicon Carbide, 1, Band 1)
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Beschreibung
"Silicon Carbide: Volume 1: Growth, Defects, and Novel Applications" von Gerhard Pensl ist ein umfassendes Fachbuch, das sich auf die Eigenschaften und Anwendungen von Siliziumkarbid konzentriert. Es bietet detaillierte Informationen über das Wachstum dieses Halbleitermaterials, seine Defekte und neuartige Anwendungen in verschiedenen Branchen. Das Buch enthält auch eine eingehende Analyse der verschiedenen Methoden zur Erzeugung von Siliziumkarbid und der damit verbundenen Herausforderungen. Darüber hinaus werden die vielfältigen Einsatzmöglichkeiten von Siliziumkarbid in Bereichen wie Elektronik, Photovoltaik und Hochtemperaturanwendungen diskutiert. Es ist ein wertvolles Nachschlagewerk für Materialwissenschaftler, Ingenieure und Forscher in der Halbleiterindustrie.
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