Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon (Computational Microelectronics)
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Beschreibung
"Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon" von Peter Pichler ist ein umfassendes Fachbuch, das sich mit den grundlegenden Eigenschaften und dem Verhalten von Punktdefekten und Verunreinigungen in Silizium beschäftigt. Das Buch gehört zur Reihe "Computational Microelectronics" und bietet eine detaillierte Analyse der Diffusionsmechanismen, die für die Herstellung und Optimierung von Halbleiterbauelementen entscheidend sind. Pichler erklärt die theoretischen Konzepte hinter intrinsischen Punktdefekten wie Leerstellen und Zwischengitteratomen sowie deren Wechselwirkungen mit verschiedenen Verunreinigungen. Er geht auf die experimentellen Techniken zur Untersuchung dieser Phänomene ein und nutzt fortschrittliche Simulationsmethoden, um deren Einfluss auf die Materialeigenschaften von Silizium zu modellieren. Das Werk richtet sich an Wissenschaftler und Ingenieure im Bereich der Halbleitertechnologie und bietet sowohl einen tiefen Einblick in die physikalischen Prozesse als auch praktische Ansätze zur Lösung spezifischer Probleme bei der Entwicklung moderner mikroelektronischer Anwendungen.
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